形成金属硅化物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510107508.6

申请日：

2015-03-11

公开(公告)号：

CN106033721A

公开(公告)日：

2016-10-19

发明(设计)人：

刘英明

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687382283 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2015101075086 申请日:20150311
2016-10-19	公开	公开
2019-10-25	授权	授权

共 50 条

[1]

形成金属硅化物的方法 [P].

杨添助 .

中国专利 :CN1405860A ,2003-03-26

[2]

形成金属硅化物的方法 [P].

杜安群 ;

黄振铭 .

中国专利 :CN1574249A ,2005-02-02

[3]

形成金属硅化物的方法 [P].

杨添助 .

中国专利 :CN1412825A ,2003-04-23

[4]

制备金属硅化物的方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN102403211A ,2012-04-04

[5]

CMOS装置的金属硅化物上的金属处理 [P].

尼古拉斯·路易斯·布雷尔 ;

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 .

美国专利 :CN121153351A ,2025-12-16

[6]

金属硅化物的形成方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102456556A ,2012-05-16

[7]

金属硅化物的形成方法 [P].

陈勇 ;

徐强 ;

唐兆云 .

中国专利 :CN102456557A ,2012-05-16

[8]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137462A ,2013-06-05

[9]

监控金属硅化物层形成工艺的方法 [P].

江红 .

中国专利 :CN102214551B ,2011-10-12

[10]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569048A ,2012-07-11

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