形成金属硅化物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01135822.X

申请日：

2001-10-18

公开(公告)号：

CN1412825A

公开(公告)日：

2003-04-23

发明(设计)人：

杨添助

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

H01L21768 H01L2128

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

任永武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-05-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2002-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-04-23	公开	公开

共 50 条

[1]

形成金属硅化物的方法 [P].

杨添助 .

中国专利 :CN1405860A ,2003-03-26

[2]

形成金属硅化物的方法 [P].

杜安群 ;

黄振铭 .

中国专利 :CN1574249A ,2005-02-02

[3]

形成金属硅化物的方法 [P].

刘英明 .

中国专利 :CN106033721A ,2016-10-19

[4]

具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法 [P].

李秋德 .

中国专利 :CN101562151A ,2009-10-21

[5]

金属硅化物的形成方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102456556A ,2012-05-16

[6]

金属硅化物的形成方法 [P].

陈勇 ;

徐强 ;

唐兆云 .

中国专利 :CN102456557A ,2012-05-16

[7]

形成金属硅化物层的方法和由此形成的金属硅化物层 [P].

任·何 ;

马克西米利安·克莱蒙斯 ;

石美仪 ;

于敏锐 ;

本切基·梅巴基 ;

梅裕尔·B·奈克 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 .

中国专利 :CN110349838A ,2019-10-18

[8]

形成自对准金属硅化物的方法 [P].

张财福 ;

朱世麟 ;

叶清本 .

中国专利 :CN1490854A ,2004-04-21

[9]

形成自行对准金属硅化物的方法 [P].

高荣正 .

中国专利 :CN1484285A ,2004-03-24

[10]

金属硅化物形成方法 [P].

孙晓峰 ;

高永亮 ;

丁海滨 .

中国专利 :CN102915918A ,2013-02-06

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