半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法

被引：0

申请号：

CN202210003352.7

申请日：

2022-01-04

公开(公告)号：

CN115483223A

公开(公告)日：

2022-12-16

发明(设计)人：

金场院朴美性朴寅洙张晶植崔元根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2711575

IPC分类号：

H01L2711582

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

原宏宇;孙东喜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-16	公开	公开
2023-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11575 申请日:20220104

共 50 条

[1]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

金场院 ;

朴美性 ;

朴寅洙 ;

张晶植 ;

崔元根 .

韩国专利 :CN115483223B ,2025-02-25

[2]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

李南宰 .

中国专利 :CN114067857A ,2022-02-18

[3]

半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法 [P].

李南宰 .

韩国专利 :CN119342835A ,2025-01-21

[4]

半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法 [P].

崔康植 .

中国专利 :CN112786566A ,2021-05-11

[5]

半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法 [P].

崔康植 .

韩国专利 :CN112786566B ,2024-11-05

[6]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

李南宰 .

中国专利 :CN114520235A ,2022-05-20

[7]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

金镇河 .

韩国专利 :CN117395994A ,2024-01-12

[8]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

李南宰 .

韩国专利 :CN114068684B ,2024-03-08

[9]

半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法 [P].

金承允 ;

千相勳 ;

韩智勳 .

中国专利 :CN115472617A ,2022-12-13

[10]

半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法 [P].

朴美性 ;

朴寅洙 ;

张晶植 ;

田锡旼 ;

崔元根 ;

崔正达 .

韩国专利 :CN118175844A ,2024-06-11

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