半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010710334.3
申请日
2020-07-22
公开(公告)号
CN112786566B
公开(公告)日
2024-11-05
发明(设计)人
崔康植
申请人
爱思开海力士有限公司
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L23/538
IPC分类号
H10B43/20 H10B43/30 H01L21/768
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
刘久亮;黄纶伟
法律状态
专利权期限的补偿
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法 [P]. 
崔康植 .
中国专利 :CN112786566A ,2021-05-11
[2]
半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法 [P]. 
李南宰 .
中国专利 :CN114628396A ,2022-06-14
[3]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李相范 .
中国专利 :CN113160867A ,2021-07-23
[4]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
崔亨进 .
韩国专利 :CN114067886B ,2025-09-26
[5]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
崔亨进 .
中国专利 :CN114067886A ,2022-02-18
[6]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法 [P]. 
李相范 .
韩国专利 :CN113160867B ,2024-05-17
[7]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P]. 
李南宰 .
韩国专利 :CN114068684B ,2024-03-08
[8]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P]. 
金场院 ;
朴美性 ;
朴寅洙 ;
张晶植 ;
崔元根 .
中国专利 :CN115483223A ,2022-12-16
[9]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P]. 
李南宰 .
韩国专利 :CN118039677A ,2024-05-14
[10]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P]. 
李南宰 .
中国专利 :CN114067857A ,2022-02-18