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半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010710334.3
申请日
:
2020-07-22
公开(公告)号
:
CN112786566B
公开(公告)日
:
2024-11-05
发明(设计)人
:
崔康植
申请人
:
爱思开海力士有限公司
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L23/538
IPC分类号
:
H10B43/20
H10B43/30
H01L21/768
代理机构
:
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
:
刘久亮;黄纶伟
法律状态
:
专利权期限的补偿
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-01-07
专利权期限的补偿
专利权期限补偿IPC(主分类):H01L 23/538申请日:20200722授权公告日:20241105原专利权期满终止日:20400722现专利权期满终止日:20401105
2024-11-05
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法
[P].
崔康植
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
崔康植
.
中国专利
:CN112786566A
,2021-05-11
[2]
半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法
[P].
李南宰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李南宰
.
中国专利
:CN114628396A
,2022-06-14
[3]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法
[P].
李相范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李相范
.
中国专利
:CN113160867A
,2021-07-23
[4]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法
[P].
崔亨进
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔亨进
.
韩国专利
:CN114067886B
,2025-09-26
[5]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法
[P].
崔亨进
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
崔亨进
.
中国专利
:CN114067886A
,2022-02-18
[6]
半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法
[P].
李相范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李相范
.
韩国专利
:CN113160867B
,2024-05-17
[7]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
[P].
李南宰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李南宰
.
韩国专利
:CN114068684B
,2024-03-08
[8]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
[P].
金场院
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金场院
;
朴美性
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朴美性
;
朴寅洙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朴寅洙
;
张晶植
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张晶植
;
崔元根
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
崔元根
.
中国专利
:CN115483223A
,2022-12-16
[9]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
[P].
李南宰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李南宰
.
韩国专利
:CN118039677A
,2024-05-14
[10]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
[P].
李南宰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李南宰
.
中国专利
:CN114067857A
,2022-02-18
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