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半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410213732.2
申请日：
2021-04-02
公开(公告)号：
CN118039677A
公开(公告)日：
2024-05-14
发明(设计)人：
李南宰
申请人：
爱思开海力士有限公司
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L29/423
IPC分类号：
H01L21/28
H10B43/20
H10B43/30
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
刘久亮;黄纶伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-14 | 公开 | 公开 |
| 2024-05-31 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/423申请日:20210402 |