半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311055879.5

申请日：

2023-08-21

公开(公告)号：

CN118175844A

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

朴美性朴寅洙张晶植田锡旼崔元根崔正达

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B41/35

IPC分类号：

H10B41/20 H10B43/35 H10B43/20

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

李辉;孙东喜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/35申请日:20230821
2024-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

李南宰 .

中国专利 :CN114520235A ,2022-05-20

[2]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

金镇河 .

韩国专利 :CN117395994A ,2024-01-12

[3]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

李南宰 .

韩国专利 :CN114068684B ,2024-03-08

[4]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

金场院 ;

朴美性 ;

朴寅洙 ;

张晶植 ;

崔元根 .

中国专利 :CN115483223A ,2022-12-16

[5]

半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法 [P].

金承允 ;

千相勳 ;

韩智勳 .

中国专利 :CN115472617A ,2022-12-13

[6]

半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法 [P].

姜仁求 .

韩国专利 :CN118695603A ,2024-09-24

[7]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

李南宰 .

韩国专利 :CN118039677A ,2024-05-14

[8]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

李南宰 .

中国专利 :CN114067857A ,2022-02-18

[9]

半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法 [P].

崔殷硕 ;

吴在永 .

韩国专利 :CN119855155A ,2025-04-18

[10]

半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法 [P].

李南宰 .

韩国专利 :CN114121967B ,2025-10-21

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