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半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110399181.X
申请日：
2021-04-14
公开(公告)号：
CN114121967B
公开(公告)日：
2025-10-21
发明(设计)人：
李南宰
申请人：
爱思开海力士有限公司
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10B41/30
IPC分类号：
H10B41/27
H10B43/30
H10B43/27
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
刘久亮;黄纶伟
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-21 | 授权 | 授权 |
| 2025-11-28 | 专利权期限的补偿 | 专利权期限补偿IPC(主分类):H10B 41/30申请日:20210414授权公告日:20251021原专利权期满终止日:20410414现专利权期满终止日:20411021 |