一种大功率正装LED芯片结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810241675.X
申请日
2008-12-26
公开(公告)号
CN101929610A
公开(公告)日
2010-12-29
发明(设计)人
吴大可 朱国雄 张坤
申请人
申请人地址
518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源)
IPC主分类号
F21S200
IPC分类号
F21V722 F21V2900 H01L3300 F21Y10102
代理机构
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