纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110110342.5

申请日：

2011-04-29

公开(公告)号：

CN102169958A

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

吕业刚宋三年宋志棠

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1434 B82Y1000 B82Y4000

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101120312118 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011101103425 申请日:20110429
2011-08-31	公开	公开
2013-07-10	授权	授权

共 50 条

[1]

纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102082228A ,2011-06-01

[2]

纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途 [P].

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN101783391B ,2010-07-21

[3]

Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 [P].

宋三年 ;

宋志棠 ;

吕业刚 .

中国专利 :CN102157681A ,2011-08-17

[4]

纳米复合相变材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

张挺 ;

刘波 ;

刘卫丽 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN101299453B ,2008-11-05

[5]

用于相变存储器的Sb2Tex-SiO2纳米复合相变材料及制备方法 [P].

宋志棠 ;

朱敏 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

张挺 .

中国专利 :CN102487119A ,2012-06-06

[6]

纳米复合相变材料、制备方法及其优选方法 [P].

宋志棠 ;

吴良才 .

中国专利 :CN101818294B ,2010-09-01

[7]

一种纳米复合相变材料及其制备与应用 [P].

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN101660118B ,2010-03-03

[8]

一种纳米复合相变材料的制备方法 [P].

张挺 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

刘卫丽 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN101299454B ,2008-11-05

[9]

一种纳米复合相变材料及其制备方法 [P].

宋三年 ;

宋志棠 ;

万旭东 ;

谢志峰 ;

封松林 .

中国专利 :CN101521260B ,2009-09-02

[10]

Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法 [P].

汪昌州 ;

刘东方 ;

张伟 ;

杨康 .

中国专利 :CN106935701A ,2017-07-07

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