Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010263978.9

申请日：

2010-08-24

公开(公告)号：

CN102157681A

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

宋三年宋志棠吕业刚

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1406 C23C1434

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-17	公开	公开
2014-01-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101685107771 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2010102639789 申请公布日:20110817
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113912811 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2010102639789 申请日:20100824

共 50 条

[1]

纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102082228A ,2011-06-01

[2]

纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途 [P].

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN101783391B ,2010-07-21

[3]

纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102169958A ,2011-08-31

[4]

用于相变存储器的Sb2Tex-SiO2纳米复合相变材料及制备方法 [P].

宋志棠 ;

朱敏 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

张挺 .

中国专利 :CN102487119A ,2012-06-06

[5]

用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法 [P].

宋志棠 ;

许建安 ;

饶峰 ;

吴良才 ;

刘波 .

中国专利 :CN102569644A ,2012-07-11

[6]

一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb2Te3相变存储材料 [P].

朱敏 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 ;

彭程 ;

周夕淋 ;

任堃 ;

封松林 .

中国专利 :CN102593355A ,2012-07-18

[7]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[8]

Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王勇 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

丁科元 ;

李涛 .

中国专利 :CN107768516A ,2018-03-06

[9]

HfN-Ge-Sb-Te相变材料及低功耗相变存储器 [P].

程晓敏 ;

范思源 ;

缪向水 .

中国专利 :CN117956889A ,2024-04-30

[10]

用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 [P].

彭程 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

周夕淋 ;

朱敏 .

中国专利 :CN102134698B ,2011-07-27

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