纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途

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专利类型
发明
申请号
CN201010105702.8
申请日
2010-02-04
公开(公告)号
CN101783391B
公开(公告)日
2010-07-21
发明(设计)人
宋三年 宋志棠
申请人
申请人地址
200050 上海市长宁区长宁路865号
IPC主分类号
H01L4500
IPC分类号
代理机构
上海光华专利事务所 31219
代理人
李仪萍
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 [P]. 
吕业刚 ;
宋三年 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN102082228A ,2011-06-01
[2]
Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 [P]. 
宋三年 ;
宋志棠 ;
吕业刚 .
中国专利 :CN102157681A ,2011-08-17
[3]
纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用 [P]. 
吕业刚 ;
宋三年 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN102169958A ,2011-08-31
[4]
用于相变存储器的Sb2Tex-SiO2纳米复合相变材料及制备方法 [P]. 
宋志棠 ;
朱敏 ;
吴良才 ;
饶峰 ;
张挺 .
中国专利 :CN102487119A ,2012-06-06
[5]
相变材料、相变存储器、及制备方法 [P]. 
杨红心 ;
周凌珺 ;
刘峻 .
中国专利 :CN114824074A ,2022-07-29
[6]
相变材料、相变存储器、及制备方法 [P]. 
杨红心 ;
周凌珺 ;
刘峻 .
中国专利 :CN114824074B ,2025-04-11
[7]
纳米复合相变材料、制备方法及其优选方法 [P]. 
宋志棠 ;
吴良才 .
中国专利 :CN101818294B ,2010-09-01
[8]
用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料 [P]. 
翟继卫 ;
汪昌州 ;
沈波 ;
孙明成 .
中国专利 :CN102117885A ,2011-07-06
[9]
Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法 [P]. 
汪昌州 ;
刘东方 ;
张伟 ;
杨康 .
中国专利 :CN106935701A ,2017-07-07
[10]
纳米复合相变材料及其制备方法 [P]. 
宋志棠 ;
张挺 ;
刘波 ;
刘卫丽 ;
封松林 ;
陈邦明 .
中国专利 :CN101299453B ,2008-11-05