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纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201010105702.8
申请日
:
2010-02-04
公开(公告)号
:
CN101783391B
公开(公告)日
:
2010-07-21
发明(设计)人
:
宋三年
宋志棠
申请人
:
申请人地址
:
200050 上海市长宁区长宁路865号
IPC主分类号
:
H01L4500
IPC分类号
:
代理机构
:
上海光华专利事务所 31219
代理人
:
李仪萍
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2012-02-29
授权
授权
2010-07-21
公开
公开
2010-09-15
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005818887 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2010101057028 申请日:20100204
共 50 条
[1]
纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途
[P].
吕业刚
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吕业刚
;
宋三年
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宋三年
;
宋志棠
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宋志棠
.
中国专利
:CN102082228A
,2011-06-01
[2]
Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途
[P].
宋三年
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宋三年
;
宋志棠
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宋志棠
;
吕业刚
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吕业刚
.
中国专利
:CN102157681A
,2011-08-17
[3]
纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用
[P].
吕业刚
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吕业刚
;
宋三年
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宋三年
;
宋志棠
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宋志棠
.
中国专利
:CN102169958A
,2011-08-31
[4]
用于相变存储器的Sb2Tex-SiO2纳米复合相变材料及制备方法
[P].
宋志棠
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宋志棠
;
朱敏
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朱敏
;
吴良才
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吴良才
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饶峰
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饶峰
;
张挺
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张挺
.
中国专利
:CN102487119A
,2012-06-06
[5]
相变材料、相变存储器、及制备方法
[P].
杨红心
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杨红心
;
周凌珺
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周凌珺
;
刘峻
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刘峻
.
中国专利
:CN114824074A
,2022-07-29
[6]
相变材料、相变存储器、及制备方法
[P].
杨红心
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机构:
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
杨红心
;
周凌珺
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机构:
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
周凌珺
;
刘峻
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机构:
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
刘峻
.
中国专利
:CN114824074B
,2025-04-11
[7]
纳米复合相变材料、制备方法及其优选方法
[P].
宋志棠
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宋志棠
;
吴良才
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吴良才
.
中国专利
:CN101818294B
,2010-09-01
[8]
用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料
[P].
翟继卫
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翟继卫
;
汪昌州
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汪昌州
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沈波
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沈波
;
孙明成
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孙明成
.
中国专利
:CN102117885A
,2011-07-06
[9]
Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法
[P].
汪昌州
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汪昌州
;
刘东方
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刘东方
;
张伟
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张伟
;
杨康
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杨康
.
中国专利
:CN106935701A
,2017-07-07
[10]
纳米复合相变材料及其制备方法
[P].
宋志棠
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宋志棠
;
张挺
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张挺
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刘波
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刘波
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刘卫丽
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刘卫丽
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封松林
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封松林
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陈邦明
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陈邦明
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中国专利
:CN101299453B
,2008-11-05
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