用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010590406.1

申请日：

2010-12-15

公开(公告)号：

CN102569644A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

宋志棠许建安饶峰吴良才刘波

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-11	公开	公开
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324735448 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2010105904061 申请日:20101215
2014-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

用于相变存储器的Sb2Tex-SiO2纳米复合相变材料及制备方法 [P].

宋志棠 ;

朱敏 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

张挺 .

中国专利 :CN102487119A ,2012-06-06

[2]

用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 [P].

彭程 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

周夕淋 ;

朱敏 .

中国专利 :CN102134698B ,2011-07-27

[3]

用于相变存储器的Si-Sb-Te材料 [P].

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

任堃 ;

周夕淋 .

中国专利 :CN102130298A ,2011-07-20

[4]

Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 [P].

宋三年 ;

宋志棠 ;

吕业刚 .

中国专利 :CN102157681A ,2011-08-17

[5]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[6]

用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

郑勇辉 ;

成岩 ;

刘卫丽 ;

宋三年 ;

朱敏 .

中国专利 :CN104831235A ,2015-08-12

[7]

一种用于相变存储器的Sb-Si3N4薄膜材料及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

汪子洋 ;

廖立波 .

中国专利 :CN112786782B ,2021-05-11

[8]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[9]

用于相变存储器的相变材料及其制备方法 [P].

丁科元 ;

饶峰 ;

王勇 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106611814A ,2017-05-03

[10]

相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元 [P].

程国胜 ;

张杰 ;

孔涛 ;

黄荣 ;

卫芬芬 .

中国专利 :CN103904215A ,2014-07-02

← 1 2 3 4 5 →