在基板表面上形成金属氧化物的薄膜形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410055266.2

申请日：

2004-03-26

公开(公告)号：

CN1571124A

公开(公告)日：

2005-01-26

发明(设计)人：

熊谷晃张宏

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2182 H01L2700

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王健

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-01-26	公开	公开

共 50 条

[1]

在基板表面上形成金属氧化物的薄膜形成方法 [P].

熊谷晃 ;

张宏 .

中国专利 :CN101423931A ,2009-05-06

[2]

在平坦导电表面上形成氧化物层 [P].

利奥尼德·鲍里索维奇·鲁宾 ;

亚历山大·谢尔盖耶维奇·奥西波夫 ;

埃琳娜·博里索夫娜·内布尔奇洛瓦 .

中国专利 :CN104040698A ,2014-09-10

[3]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

郡大佑 ;

矢野俊治 .

日本专利 :CN116694114B ,2025-06-13

[4]

金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法 [P].

小林直贵 ;

郡大佑 ;

佐藤裕典 ;

矢野俊治 .

日本专利 :CN117024997B ,2025-06-13

[5]

用于金属氧化物在金属表面上的ALD的方法 [P].

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

马克·沙丽 ;

大卫·汤普森 ;

夏立群 .

中国专利 :CN111356785A ,2020-06-30

[6]

形成透明金属氧化物薄膜的方法 [P].

张正杰 .

中国专利 :CN101728008A ,2010-06-09

[7]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

中国专利 :CN111816547A ,2020-10-23

[8]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

:CN111816547B ,2025-12-16

[9]

减少或防止金属氧化物在电极表面上沉积的方法 [P].

M·贝克豪斯-瑞考尔特 .

中国专利 :CN102106024A ,2011-06-22

[10]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20

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