用于金属氧化物在金属表面上的ALD的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880074102.4

申请日：

2018-11-19

公开(公告)号：

CN111356785A

公开(公告)日：

2020-06-30

发明(设计)人：

巴斯卡尔·乔蒂·布雅马克·沙丽大卫·汤普森夏立群

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C16455 C23C1602 C23C1652

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-30	公开	公开
2020-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20181119

共 50 条

[1]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

中国专利 :CN111816547A ,2020-10-23

[2]

金属氧化物在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

M·吉文斯 ;

S·邓 ;

G·A·维尼 .

:CN111816547B ,2025-12-16

[3]

减少或防止金属氧化物在电极表面上沉积的方法 [P].

M·贝克豪斯-瑞考尔特 .

中国专利 :CN102106024A ,2011-06-22

[4]

在基板表面上形成金属氧化物的薄膜形成方法 [P].

熊谷晃 ;

张宏 .

中国专利 :CN101423931A ,2009-05-06

[5]

在基板表面上形成金属氧化物的薄膜形成方法 [P].

熊谷晃 ;

张宏 .

中国专利 :CN1571124A ,2005-01-26

[6]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

中国专利 :CN113463067A ,2021-10-01

[7]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A·伊利贝里 ;

G·A·弗尼 ;

邓少任 ;

D·恰佩 ;

E·托伊斯 ;

M·托米宁 ;

M·吉文斯 .

:CN120400796A ,2025-08-01

[8]

氧化硅在金属表面上的选择性沉积 [P].

A.伊利贝里 ;

G.A.弗尼 ;

邓少任 ;

D.恰佩 ;

E.托伊斯 ;

M.托米宁 ;

M.吉文斯 .

:CN113463067B ,2025-05-23

[9]

在金属表面上沉积银的方法和组合物 [P].

罗杰·F·贝尔纳茨 .

中国专利 :CN101933127A ,2010-12-29

[10]

减少金属表面上的腐蚀 [P].

刘正伟 ;

T·斯潘杰克逊 ;

S·拉马钱德兰 .

中国专利 :CN107787379A ,2018-03-09

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