一种提高芯片亮度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610030769.3

申请日：

2006-09-04

公开(公告)号：

CN101140962A

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

冯雅清叶国光梁伏波朱思远黄力伟

申请人：

申请人地址：

201616上海市松江区文俊路2号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司

代理人：

翁若莹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-12	公开	公开
2010-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003973576 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2006100307693 公开日:20080312

共 50 条

[1]

一种提高芯片亮度的方法 [P].

冯雅清 ;

陈明法 ;

朱思远 .

中国专利 :CN1889278A ,2007-01-03

[2]

提高LED芯片亮度的方法 [P].

李士涛 ;

郝茂盛 ;

张楠 ;

张德 ;

颜瑞祥 ;

陈诚 ;

袁根如 .

中国专利 :CN101740692B ,2010-06-16

[3]

一种提高倒装LED芯片亮度的方法 [P].

黄章挺 ;

郑高林 .

中国专利 :CN115692559A ,2023-02-03

[4]

一种提高芯片轴向出光亮度的方法 [P].

陈立人 .

中国专利 :CN101162748A ,2008-04-16

[5]

一种提高倒装焊芯片亮度的方法 [P].

冯雅清 ;

叶国光 ;

应华兵 ;

章加奇 .

中国专利 :CN101140963A ,2008-03-12

[6]

一种提高GaN基LED亮度的方法 [P].

周健华 ;

郝茂盛 ;

潘尧波 ;

邢志刚 ;

李士涛 ;

陈诚 ;

朱广敏 ;

张楠 ;

袁根如 .

中国专利 :CN102347410B ,2012-02-08

[7]

一种高亮度LED芯片及其制造方法 [P].

李士涛 ;

郝茂盛 ;

张楠 ;

陈诚 ;

袁根如 ;

朱广敏 .

中国专利 :CN103035787A ,2013-04-10

[8]

一种提高LED亮度的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105206723A ,2015-12-30

[9]

一种提高LED芯片出光效率的制备工艺方法 [P].

陈湛旭 ;

万巍 ;

陈泳竹 ;

何影记 .

中国专利 :CN106784187A ,2017-05-31

[10]

一种提高LED芯片制造精度的方法 [P].

汪洋 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN103137794A ,2013-06-05

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