提高LED芯片亮度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910202034.8

申请日：

2009-12-24

公开(公告)号：

CN101740692B

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

李士涛郝茂盛张楠张德颜瑞祥陈诚袁根如

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-17	授权	授权
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005263796 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2009102020348 申请日:20091224
2010-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

詹腾 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN103165780A ,2013-06-19

[2]

LED芯片制造方法 [P].

李士涛 ;

郝茂盛 ;

陈诚 ;

袁根如 .

中国专利 :CN102194928A ,2011-09-21

[3]

提高LED亮度的芯片制作方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109585613B ,2019-04-05

[4]

一种提高芯片亮度的方法 [P].

冯雅清 ;

叶国光 ;

梁伏波 ;

朱思远 ;

黄力伟 .

中国专利 :CN101140962A ,2008-03-12

[5]

低损伤GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

孔庆峰 ;

詹腾 .

中国专利 :CN103117338A ,2013-05-22

[6]

一种提高倒装LED芯片亮度的方法 [P].

黄章挺 ;

郑高林 .

中国专利 :CN115692559A ,2023-02-03

[7]

一种高亮度LED芯片及其制造方法 [P].

李士涛 ;

郝茂盛 ;

张楠 ;

陈诚 ;

袁根如 ;

朱广敏 .

中国专利 :CN103035787A ,2013-04-10

[8]

制作高亮度LED芯片的方法 [P].

欧阳红英 .

中国专利 :CN101471412A ,2009-07-01

[9]

LED芯片的制造方法 [P].

于洪波 ;

肖德元 ;

程蒙召 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102255009A ,2011-11-23

[10]

一种异型低电压高亮度LED芯片的制备方法 [P].

黄星群 .

中国专利 :CN108133983A ,2018-06-08

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