一种Si基SiC晶圆及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202110122523.3

申请日：

2021-01-28

公开(公告)号：

CN114823479A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

王磊赵泓达李博郑中山张学文韩郑生高见头滕瑞刘海南赵发展

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

房德权

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210128

共 50 条

[1]

SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置 [P].

浅水启州 .

中国专利 :CN108028186B ,2018-05-11

[2]

一种晶圆湿法刻蚀方法及其晶圆 [P].

张宾 ;

陈新准 ;

陈善任 ;

郑德智 ;

王帅 ;

李大鹏 ;

朱瑞 ;

程元红 ;

李娜 ;

江俊易 ;

张福容 ;

隆艺瑶 .

中国专利 :CN118471804A ,2024-08-09

[3]

一种SiC晶圆的制造方法 [P].

彭谞睿 ;

张紫辰 ;

侯煜 ;

黎宇航 ;

张喆 ;

宋琦 ;

石海燕 ;

张昆鹏 .

中国专利 :CN120715417A ,2025-09-30

[4]

晶圆及其制备方法 [P].

乔明 ;

方冬 ;

章文通 ;

张波 .

中国专利 :CN106409763A ,2017-02-15

[5]

晶圆及其制备方法 [P].

乔明 ;

方冬 ;

章文通 ;

张波 .

中国专利 :CN106505094A ,2017-03-15

[6]

一种晶圆级外延薄膜及其制备方法 [P].

张易军 ;

王虹 ;

任巍 ;

叶作光 ;

王瑞康 .

中国专利 :CN116254598B ,2025-12-23

[7]

一种晶圆结构及其制备方法 [P].

张庭高 ;

孙钧 ;

高红莲 .

中国专利 :CN119133149A ,2024-12-13

[8]

一种晶圆结构及其制备方法 [P].

张庭高 ;

孙钧 ;

高红莲 .

中国专利 :CN119133149B ,2025-10-10

[9]

一种SiC基DMOSFET器件及其制备方法 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109801959B ,2024-07-30

[10]

一种SiC基DMOSFET器件及其制备方法 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109801959A ,2019-05-24

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