一种晶圆级外延薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310404521.2

申请日：

2023-04-14

公开(公告)号：

CN116254598B

公开(公告)日：

2025-12-23

发明(设计)人：

张易军王虹任巍叶作光王瑞康

申请人：

西安交通大学

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

H10D62/80 C30B25/14 C30B25/16 C30B29/40 C30B29/16 C30B29/18 C30B33/02

代理机构：

北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732

代理人：

董大媛

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置 [P].

王幸福 ;

董建奇 ;

姜健 .

中国专利 :CN112018033B ,2020-12-01

[2]

一种新型IV-VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法 [P].

刘开辉 ;

周子琦 ;

魏钟鸣 ;

刘灿 .

中国专利 :CN118087031A ,2024-05-28

[3]

一种晶圆外延薄膜装置 [P].

刘振兴 ;

赵哲 ;

张优优 ;

沈淳 ;

周长健 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN216688313U ,2022-06-07

[4]

一种外延晶圆的制造方法和外延晶圆 [P].

王华杰 ;

曹共柏 ;

林志鑫 .

中国专利 :CN112002639A ,2020-11-27

[5]

一种晶圆复合薄膜及其制备方法 [P].

薛成龙 ;

柏文文 ;

王含冠 ;

刘培森 ;

肖博远 ;

周鑫辰 ;

高嘉骏 ;

杨朋辉 ;

杨凯 ;

华千慧 ;

国洪辰 ;

崔健 .

中国专利 :CN120358922A ,2025-07-22

[6]

一种晶圆复合薄膜及其制备方法 [P].

薛成龙 ;

柏文文 ;

王含冠 ;

刘培森 ;

肖博远 ;

周鑫辰 ;

高嘉骏 ;

杨朋辉 ;

杨凯 ;

华千慧 ;

国洪辰 ;

崔健 .

中国专利 :CN120358922B ,2025-11-21

[7]

一种基于硅晶圆异质外延的硅基薄膜晶体制备方法 [P].

韩羽 ;

曾聪 ;

楼梦晖 ;

余思远 .

中国专利 :CN118712885B ,2025-11-07

[8]

一种基于硅晶圆异质外延的硅基薄膜晶体制备方法 [P].

韩羽 ;

曾聪 ;

楼梦晖 ;

余思远 .

中国专利 :CN118712885A ,2024-09-27

[9]

一种异质外延基板及其制备方法和外延薄膜转移方法 [P].

沈玲燕 ;

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN120583725A ,2025-09-02

[10]

一种氧化镓外延薄膜的制备方法 [P].

郭道友 ;

王顺利 ;

吴超 .

中国专利 :CN110867368A ,2020-03-06

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