一种外延晶圆的制造方法和外延晶圆

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010706607.7

申请日：

2020-07-21

公开(公告)号：

CN112002639A

公开(公告)日：

2020-11-27

发明(设计)人：

王华杰曹共柏林志鑫

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L21683 H01L2904

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/324 申请日:20200721
2020-11-27	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置 [P].

浅水启州 .

中国专利 :CN108028186B ,2018-05-11

[2]

改善外延晶圆品质的方法、装置，及外延晶圆和其制造方法 [P].

梁鹏欢 .

中国专利 :CN119673751A ,2025-03-21

[3]

改善外延晶圆品质的方法、装置，及外延晶圆和其制造方法 [P].

梁鹏欢 .

中国专利 :CN119673751B ,2025-10-10

[4]

半导体外延晶圆的制造方法及半导体外延晶圆 [P].

萩本和德 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

后藤博一 ;

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

小林昇一 ;

栗本宏高 .

中国专利 :CN106068546B ,2016-11-02

[5]

预热环、晶圆外延生长设备、外延生长方法及外延硅晶圆 [P].

梁鹏欢 .

中国专利 :CN120210953A ,2025-06-27

[6]

外延生长方法及外延晶圆 [P].

杨金柱 ;

王力 .

中国专利 :CN115948797B ,2025-05-09

[7]

外延涂布的半导体晶圆和生产外延涂布的半导体晶圆的方法 [P].

T·米勒 ;

M·格姆利希 ;

F·法勒 .

中国专利 :CN107210222A ,2017-09-26

[8]

减少晶圆外延工艺缺陷的方法 [P].

李远哲 ;

陈彤 .

中国专利 :CN105448653A ,2016-03-30

[9]

晶圆承载盘和外延设备 [P].

许昊 ;

张丽旸 ;

程凯 .

中国专利 :CN217822688U ,2022-11-15

[10]

外延晶圆的制造方法及外延生长用硅系基板 [P].

萩本和德 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

后藤博一 ;

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

小林昇一 ;

栗本宏高 .

中国专利 :CN106068547A ,2016-11-02

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