半导体外延晶圆的制造方法及半导体外延晶圆

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580011705.6

申请日：

2015-02-10

公开(公告)号：

CN106068546B

公开(公告)日：

2016-11-02

发明(设计)人：

萩本和德篠宫胜土屋庆太郎后藤博一佐藤宪鹿内洋志小林昇一栗本宏高

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1634 C23C1656 H01L2120

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

谢顺星;张晶

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-02	公开	公开
2019-04-26	授权	授权
2016-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101689587932 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2015800117056 申请日:20150210

共 50 条

[1]

半导体外延基板 [P].

角田浩二 ;

野崎龙也 ;

金井进 .

中国专利 :CN102782195A ,2012-11-14

[2]

半导体外延结构和半导体外延生长方法 [P].

张海林 ;

陈龙 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN120187055A ,2025-06-20

[3]

半导体外延基座和半导体外延设备 [P].

李伟 ;

王剑伟 ;

周华 .

中国专利 :CN120099633A ,2025-06-06

[4]

SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置 [P].

浅水启州 .

中国专利 :CN108028186B ,2018-05-11

[5]

半导体外延结构 [P].

魏洋 ;

范守善 .

中国专利 :CN102723406B ,2012-10-10

[6]

外延涂布的半导体晶圆和生产外延涂布的半导体晶圆的方法 [P].

T·米勒 ;

M·格姆利希 ;

F·法勒 .

中国专利 :CN107210222A ,2017-09-26

[7]

半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法 [P].

房育涛 ;

陈帅 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115000161B ,2025-09-19

[8]

半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法 [P].

房育涛 ;

陈帅 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115000161A ,2022-09-02

[9]

半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

铃木温 .

日本专利 :CN119278499A ,2025-01-07

[10]

半导体外延结构 [P].

林子尧 ;

刘嘉哲 ;

施英汝 .

中国专利 :CN116072523B ,2025-08-12

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