半导体外延基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180011758.X

申请日：

2011-03-01

公开(公告)号：

CN102782195A

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

角田浩二野崎龙也金井进

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C23C1630 C30B2518 H01L21205

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

吕琳;李浩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375918925 IPC(主分类):C30B 29/40 专利申请号:201180011758X 申请日:20110301
2012-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体外延结构和半导体外延生长方法 [P].

张海林 ;

陈龙 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN120187055A ,2025-06-20

[2]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

杜小青 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 .

中国专利 :CN114678420A ,2022-06-28

[3]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 ;

杜小青 .

中国专利 :CN215955285U ,2022-03-04

[4]

半导体外延结构 [P].

魏洋 ;

范守善 .

中国专利 :CN102723406B ,2012-10-10

[5]

半导体外延晶圆的制造方法及半导体外延晶圆 [P].

萩本和德 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

后藤博一 ;

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

小林昇一 ;

栗本宏高 .

中国专利 :CN106068546B ,2016-11-02

[6]

半导体外延结晶基板的制造方法 [P].

佐泽洋幸 ;

西川直宏 ;

秦雅彦 .

中国专利 :CN101517715B ,2009-08-26

[7]

半导体外延基座和半导体外延设备 [P].

李伟 ;

王剑伟 ;

周华 .

中国专利 :CN120099633A ,2025-06-06

[8]

半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P].

房育涛 ;

夏德洋 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN114883405A ,2022-08-09

[9]

半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530364A ,2022-05-24

[10]

半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P].

房育涛 ;

夏德洋 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN114883405B ,2025-09-19

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