半导体外延结晶基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780034062.2

申请日：

2007-09-14

公开(公告)号：

CN101517715B

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

佐泽洋幸西川直宏秦雅彦

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L21338 H01L29778 H01L2978 H01L29812

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

朱丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-22	授权	授权
2009-08-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体外延基板 [P].

角田浩二 ;

野崎龙也 ;

金井进 .

中国专利 :CN102782195A ,2012-11-14

[2]

半导体外延衬底及其制造方法 [P].

今西健治 ;

吉川俊英 ;

田中丈士 ;

守谷美彦 ;

乙木洋平 .

中国专利 :CN101866949A ,2010-10-20

[3]

氮化物半导体外延片的制造方法及氮化物半导体外延片用复合基板 [P].

土屋庆太郎 ;

久保埜一平 ;

萩本和德 .

日本专利 :CN119998503A ,2025-05-13

[4]

半导体外延晶圆的制造方法及半导体外延晶圆 [P].

萩本和德 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

后藤博一 ;

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

小林昇一 ;

栗本宏高 .

中国专利 :CN106068546B ,2016-11-02

[5]

外延基板、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和徳 .

中国专利 :CN104115258B ,2014-10-22

[6]

Ⅲ族氮化物半导体外延基板 [P].

天野浩 ;

坂东章 .

中国专利 :CN101778967A ,2010-07-14

[7]

半导体外延晶片的制造方法 [P].

广濑谅 .

中国专利 :CN110223907A ,2019-09-10

[8]

半导体外延结构和半导体外延生长方法 [P].

张海林 ;

陈龙 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN120187055A ,2025-06-20

[9]

半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今西健治 ;

吉川俊英 ;

田中丈士 ;

守谷美彦 ;

乙木洋平 .

中国专利 :CN101276792A ,2008-10-01

[10]

半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 [P].

门野武 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN104781919A ,2015-07-15

← 1 2 3 4 5 →