减少晶圆外延工艺缺陷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410439919.0

申请日：

2014-09-01

公开(公告)号：

CN105448653A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

李远哲陈彤

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

徐洁晶

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	公开	公开
2019-07-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20160330
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657709008 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014104399190 申请日:20140901

共 50 条

[1]

减少晶圆缺陷的方法 [P].

胡伟玲 ;

李光磊 .

中国专利 :CN118983213A ,2024-11-19

[2]

减少锗硅源漏区外延工艺中的颗粒缺陷的方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN104867821B ,2015-08-26

[3]

一种外延晶圆的制造方法和外延晶圆 [P].

王华杰 ;

曹共柏 ;

林志鑫 .

中国专利 :CN112002639A ,2020-11-27

[4]

减少经抛光晶圆上的缺陷的方法 [P].

胡斌 ;

B·杜乌恩 ;

C·巴列斯特罗斯 ;

梁燕南 ;

李孝相 .

美国专利 :CN118414689A ,2024-07-30

[5]

外延晶圆缺陷原因确定方法及装置 [P].

梁鹏欢 .

中国专利 :CN118800686A ,2024-10-18

[6]

外延涂布的半导体晶圆和生产外延涂布的半导体晶圆的方法 [P].

T·米勒 ;

M·格姆利希 ;

F·法勒 .

中国专利 :CN107210222A ,2017-09-26

[7]

SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置 [P].

浅水启州 .

中国专利 :CN108028186B ,2018-05-11

[8]

晶圆的切割工艺及晶圆的生产方法 [P].

王斌 ;

张树宝 ;

宋美丽 ;

姜舫 .

中国专利 :CN106816412A ,2017-06-09

[9]

晶圆缺陷的检测方法 [P].

张玉 ;

李彬 ;

肖春光 ;

王洋 ;

付鹏 .

中国专利 :CN101378024B ,2009-03-04

[10]

晶圆缺陷的改善方法 [P].

彭凌剑 ;

闫大鹏 .

中国专利 :CN101378020A ,2009-03-04

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