基于MOCVD系统的制作铟镓砷光电探测器芯片的渐变型锌扩散方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910062357.1

申请日：

2009-06-03

公开(公告)号：

CN101567407A

公开(公告)日：

2009-10-28

发明(设计)人：

吴瑞华刘建军

申请人：

申请人地址：

430223湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园正源光子产业园

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

C23C1644

代理机构：

武汉开元知识产权代理有限公司

代理人：

朱盛华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-29	授权	授权
2009-10-28	公开	公开
2009-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法 [P].

徐之韬 ;

邱树添 .

中国专利 :CN100472719C ,2006-05-03

[2]

铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法 [P].

曾庆明 ;

李献杰 ;

乔树允 ;

王全树 .

中国专利 :CN1186800C ,2003-04-09

[3]

一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法 [P].

覃文治 ;

谢和平 ;

陈庆敏 ;

刘源 ;

齐瑞峰 ;

代千 ;

石柱 .

中国专利 :CN111403546A ,2020-07-10

[4]

铟镓砷光电探测器 [P].

史常忻 ;

王庆康 ;

李志奇 .

中国专利 :CN1023360C ,1992-09-09

[5]

铟镓砷光电探测器 [P].

史常忻 ;

王庆康 .

中国专利 :CN1039956C ,1994-03-16

[6]

铟镓砷光电探测器 [P].

史常忻 ;

王庆康 .

中国专利 :CN1023361C ,1992-09-09

[7]

用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构 [P].

徐之韬 .

中国专利 :CN1767217A ,2006-05-03

[8]

铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片 [P].

李雪 ;

刘大福 ;

顾溢 ;

孙夺 .

中国专利 :CN115440748A ,2022-12-06

[9]

铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片 [P].

李雪 ;

刘大福 ;

顾溢 ;

孙夺 .

中国专利 :CN115440748B ,2025-11-18

[10]

铟镓砷探测器及其制造方法 [P].

胡艳 ;

岳爱文 ;

钟行 ;

马卫东 .

中国专利 :CN115706183A ,2023-02-17

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