一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911303143.9

申请日：

2019-12-17

公开(公告)号：

CN111403546A

公开(公告)日：

2020-07-10

发明(设计)人：

覃文治谢和平陈庆敏刘源齐瑞峰代千石柱

申请人：

申请人地址：

610041 四川省成都市武侯区人民南路四段七号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31103 H01L310304 H01L21225

代理机构：

中国兵器工业集团公司专利中心 11011

代理人：

刘二格

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-10	公开	公开
2020-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20191217

共 50 条

[1]

铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法 [P].

曾庆明 ;

李献杰 ;

乔树允 ;

王全树 .

中国专利 :CN1186800C ,2003-04-09

[2]

铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法 [P].

徐之韬 ;

邱树添 .

中国专利 :CN100472719C ,2006-05-03

[3]

基于MOCVD系统的制作铟镓砷光电探测器芯片的渐变型锌扩散方法 [P].

吴瑞华 ;

刘建军 .

中国专利 :CN101567407A ,2009-10-28

[4]

铟镓砷光电探测器 [P].

史常忻 ;

王庆康 ;

李志奇 .

中国专利 :CN1023360C ,1992-09-09

[5]

铟镓砷光电探测器 [P].

史常忻 ;

王庆康 .

中国专利 :CN1039956C ,1994-03-16

[6]

铟镓砷光电探测器 [P].

史常忻 ;

王庆康 .

中国专利 :CN1023361C ,1992-09-09

[7]

用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构 [P].

徐之韬 .

中国专利 :CN1767217A ,2006-05-03

[8]

台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法 [P].

庄春泉 ;

刘大福 ;

李雪 .

中国专利 :CN112420871B ,2021-02-26

[9]

一种具有透明电极的铟镓砷光电探测器 [P].

胡双元 ;

朱忻 ;

帕勒布.巴特查亚 ;

常瑞华 ;

和田修 .

中国专利 :CN104538466B ,2015-04-22

[10]

半导体光电探测器芯片的制备方法及光电探测器芯片 [P].

杨晓杰 .

中国专利 :CN118016756A ,2024-05-10

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