半导体激光器频率调制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810058640.2

申请日：

2008-07-04

公开(公告)号：

CN101308995B

公开(公告)日：

2008-11-19

发明(设计)人：

吴尚谦

申请人：

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学)

IPC主分类号：

H01S506

IPC分类号：

H01S5042

代理机构：

昆明今威专利代理有限公司 53115

代理人：

赵云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-19	公开	公开
2010-12-08	授权	授权

共 50 条

[1]

高速调制半导体激光器 [P].

戴道锌 .

中国专利 :CN101325313A ,2008-12-17

[2]

半导体激光器芯片、半导体激光器及制造方法 [P].

魏思航 ;

周江昊 ;

刘巍 .

中国专利 :CN121238324A ,2025-12-30

[3]

半导体激光器 [P].

外山智一郎 .

中国专利 :CN100590940C ,2005-08-31

[4]

半导体激光器 [P].

鴫原君男 ;

川崎和重 .

中国专利 :CN1592012A ,2005-03-09

[5]

半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

平聪 ;

渊田步 ;

铃木凉子 ;

宫越亮辅 .

日本专利 :CN119213646A ,2024-12-27

[6]

半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法 [P].

外间洋平 ;

铃木洋介 .

中国专利 :CN112714986A ,2021-04-27

[7]

半导体激光器以及半导体激光器制造方法 [P].

中村直干 ;

河原弘幸 ;

松本启资 ;

铃木凉子 ;

平聪 .

日本专利 :CN118266139A ,2024-06-28

[8]

半导体激光器模块、半导体激光器光源和半导体激光器系统 [P].

前田纯也 ;

远藤和幸 ;

大宫丈典 ;

森田刚德 ;

吉田治正 ;

宫岛博文 .

中国专利 :CN104914518A ,2015-09-16

[9]

光纤耦合半导体激光器 [P].

郭彪 ;

王英顺 ;

张厚博 .

中国专利 :CN111146685A ,2020-05-12

[10]

Q－调制半导体激光器 [P].

何建军 .

中国专利 :CN200953431Y ,2007-09-26

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