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硅通孔结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201120454618.7
申请日
:
2011-11-16
公开(公告)号
:
CN202332838U
公开(公告)日
:
2012-07-11
发明(设计)人
:
汪学方
徐春林
王宇哲
徐明海
胡畅
刘胜
申请人
:
申请人地址
:
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
IPC主分类号
:
H01L23538
IPC分类号
:
代理机构
:
华中科技大学专利中心 42201
代理人
:
朱仁玲
法律状态
:
专利权的终止
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-01-12
专利权的终止
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20111116 授权公告日:20120711 终止日期:20161116
2012-07-11
授权
授权
共 50 条
[1]
硅通孔结构
[P].
盛亚
论文数:
0
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0
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盛亚
;
程仁豪
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程仁豪
;
刘凌
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刘凌
.
中国专利
:CN204424248U
,2015-06-24
[2]
硅通孔结构
[P].
沈哲敏
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沈哲敏
;
李广宁
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李广宁
.
中国专利
:CN203895439U
,2014-10-22
[3]
硅通孔结构
[P].
甘正浩
论文数:
0
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甘正浩
.
中国专利
:CN203812874U
,2014-09-03
[4]
一种硅通孔结构、硅通孔结构的制造方法及其装置
[P].
朱文辉
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朱文辉
;
吴厚亚
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吴厚亚
;
王彦
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王彦
;
王福亮
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王福亮
;
何虎
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何虎
.
中国专利
:CN109385650A
,2019-02-26
[5]
硅通孔测试结构
[P].
吕勇
论文数:
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吕勇
;
王笃林
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王笃林
.
中国专利
:CN203631539U
,2014-06-04
[6]
硅通孔结构及其制备方法
[P].
胡超
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机构:
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
胡超
.
中国专利
:CN117374031A
,2024-01-09
[7]
一种硅通孔结构及其制备方法
[P].
胡超
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机构:
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
胡超
.
中国专利
:CN119812150A
,2025-04-11
[8]
硅通孔互联结构以及硅通孔射频传输结构
[P].
何舒玮
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何舒玮
;
童伟
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童伟
;
陈依军
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陈依军
;
胡柳林
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胡柳林
;
吕继平
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吕继平
;
王栋
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王栋
;
唐仲俊
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唐仲俊
.
中国专利
:CN207474457U
,2018-06-08
[9]
硅通孔的制作方法
[P].
焦继伟
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焦继伟
;
王敏昌
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王敏昌
.
中国专利
:CN103879951A
,2014-06-25
[10]
具有硅通孔结构的半导体器件
[P].
孙蓉
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孙蓉
;
张国平
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张国平
;
赵松方
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赵松方
.
中国专利
:CN202977404U
,2013-06-05
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