硅通孔的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210553436.4

申请日：

2012-12-19

公开(公告)号：

CN103879951A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

焦继伟王敏昌

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	公开	公开
2016-01-06	授权	授权
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583894624 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2012105534364 申请日:20121219

共 50 条

[1]

一种硅通孔的制作方法 [P].

余毅 ;

李彦庆 ;

何锋赟 .

中国专利 :CN117637608A ,2024-03-01

[2]

一种硅通孔的制作方法 [P].

余毅 ;

李彦庆 ;

何锋赟 .

中国专利 :CN117637608B ,2024-05-14

[3]

硅通孔结构 [P].

汪学方 ;

徐春林 ;

王宇哲 ;

徐明海 ;

胡畅 ;

刘胜 .

中国专利 :CN202332838U ,2012-07-11

[4]

MEMS器件真空封装结构的制作方法 [P].

焦继伟 ;

王敏昌 .

中国专利 :CN103879952A ,2014-06-25

[5]

基于低热应力硅通孔的硅基板 [P].

董刚 ;

姬健 ;

李屾 ;

朱樟明 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN112599491A ,2021-04-02

[6]

一种硅通孔的形成方法 [P].

余毅 ;

李彦庆 ;

郭同健 ;

何锋赟 ;

叶武阳 .

中国专利 :CN117712036A ,2024-03-15

[7]

一种硅通孔的形成方法 [P].

余毅 ;

李彦庆 ;

郭同健 ;

何锋赟 ;

叶武阳 .

中国专利 :CN117712036B ,2024-04-16

[8]

一种硅通孔结构、硅通孔结构的制造方法及其装置 [P].

朱文辉 ;

吴厚亚 ;

王彦 ;

王福亮 ;

何虎 .

中国专利 :CN109385650A ,2019-02-26

[9]

通孔及导电插塞的制作方法 [P].

陈宏 ;

曹子贵 ;

王卉 ;

徐涛 .

中国专利 :CN105845624A ,2016-08-10

[10]

集成电路中通孔的制作方法 [P].

邓镭 ;

方精训 ;

程晓华 .

中国专利 :CN101937868A ,2011-01-05

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