基于低热应力硅通孔的硅基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011477841.3

申请日：

2020-12-15

公开(公告)号：

CN112599491A

公开(公告)日：

2021-04-02

发明(设计)人：

董刚姬健李屾朱樟明杨银堂

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2348

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

陈宏社;王品华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-02	公开	公开
2021-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20201215

共 50 条

[1]

基于硅通孔热应力的电路时序优化方法 [P].

董刚 ;

袁晔 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN107391836A ,2017-11-24

[2]

同轴穿透硅通孔热应力耦合优化设计方法 [P].

谌东东 ;

梁伊 ;

李迪 .

中国专利 :CN115526141A ,2022-12-27

[3]

同轴穿透硅通孔热应力耦合优化设计方法 [P].

谌东东 ;

梁伊 ;

李迪 .

中国专利 :CN115526141B ,2025-10-31

[4]

一种降低铜基硅通孔热应力的填充方法 [P].

舒雨 ;

桂成群 ;

万辉 ;

曹皓 ;

陈硕 ;

王德铭 .

中国专利 :CN118888513A ,2024-11-01

[5]

硅通孔结构 [P].

汪学方 ;

徐春林 ;

王宇哲 ;

徐明海 ;

胡畅 ;

刘胜 .

中国专利 :CN202332838U ,2012-07-11

[6]

硅通孔的制作方法 [P].

焦继伟 ;

王敏昌 .

中国专利 :CN103879951A ,2014-06-25

[7]

一种基于硅通孔结构的金属填充方法及硅通孔结构 [P].

云世昌 ;

焦斌斌 ;

王桂磊 ;

孔延梅 ;

张乐民 ;

俞利民 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN105679703A ,2016-06-15

[8]

硅通孔填充的方法 [P].

成鑫华 ;

程晓华 ;

高杏 .

中国专利 :CN104347490A ,2015-02-11

[9]

同轴硅通孔 [P].

R.P.沃兰特 ;

M.G.法鲁克 ;

P.F.芬德伊斯 ;

K.S.佩特拉卡 .

中国专利 :CN102598245A ,2012-07-18

[10]

硅通孔互联结构以及硅通孔射频传输结构 [P].

何舒玮 ;

童伟 ;

陈依军 ;

胡柳林 ;

吕继平 ;

王栋 ;

唐仲俊 .

中国专利 :CN207474457U ,2018-06-08

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