MEMS器件真空封装结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210556515.0

申请日：

2012-12-19

公开(公告)号：

CN103879952A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

焦继伟王敏昌

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	授权	授权
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583896190 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2012105565150 申请日:20121219
2014-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

MEMS器件真空封装结构 [P].

焦继伟 ;

王敏昌 ;

颜培力 ;

秦嵩 .

中国专利 :CN103879950B ,2014-06-25

[2]

MEMS器件的真空封装结构及其制作方法 [P].

焦继伟 ;

王敏昌 ;

颜培力 ;

宓斌玮 ;

刘文俊 .

中国专利 :CN102556956B ,2012-07-11

[3]

MEMS器件的制作方法 [P].

张先明 ;

丁敬秀 ;

陈福成 .

中国专利 :CN105712286B ,2016-06-29

[4]

MEMS器件的真空封装结构和真空封装方法 [P].

刘炼 ;

郑超 .

中国专利 :CN105084292A ,2015-11-25

[5]

MEMS器件及封装结构制作方法 [P].

李江龙 ;

李俊 ;

周宗燐 ;

蔡孟锦 .

中国专利 :CN107200300A ,2017-09-26

[6]

MEMS器件的制作方法及MEMS器件 [P].

阮炯明 ;

张冬平 ;

万宇 ;

郑超 ;

莫福成 .

中国专利 :CN105752928A ,2016-07-13

[7]

MEMS器件的制作方法以及MEMS器件 [P].

万星星 ;

王晋 ;

郝伟倩 ;

俞开园 ;

高晋文 ;

郭佳惠 .

中国专利 :CN118515235A ,2024-08-20

[8]

MEMS器件的制作方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN105129726A ,2015-12-09

[9]

MEMS器件的制作方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN104973565A ,2015-10-14

[10]

MEMS器件的制作方法 [P].

毛剑宏 ;

唐德明 .

中国专利 :CN102530831A ,2012-07-04

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