一种硅通孔结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411914606.6

申请日：

2024-12-24

公开(公告)号：

CN119812150A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

胡超

申请人：

华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋

IPC主分类号：

H01L23/485

IPC分类号：

H01L23/48 H01L21/768

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

赵梦遥

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/485申请日:20241224

共 50 条

[1]

硅通孔结构及其制备方法 [P].

胡超 .

中国专利 :CN117374031A ,2024-01-09

[2]

一种硅通孔结构及其制备方法 [P].

蔡坚 ;

李金睿 ;

谭琳 ;

王谦 ;

陈瑜 ;

王水弟 .

中国专利 :CN102938396B ,2013-02-20

[3]

硅通孔结构的制备方法 [P].

高燕 ;

朱赛亚 ;

董天化 ;

马孝田 ;

霍燕丽 .

中国专利 :CN104795355A ,2015-07-22

[4]

一种硅通孔结构、硅通孔结构的制造方法及其装置 [P].

朱文辉 ;

吴厚亚 ;

王彦 ;

王福亮 ;

何虎 .

中国专利 :CN109385650A ,2019-02-26

[5]

硅通孔结构及其制备方法 [P].

何洪涛 ;

杨志 ;

胥超 ;

解涛 .

中国专利 :CN111968953A ,2020-11-20

[6]

硅通孔结构 [P].

汪学方 ;

徐春林 ;

王宇哲 ;

徐明海 ;

胡畅 ;

刘胜 .

中国专利 :CN202332838U ,2012-07-11

[7]

一种晶圆硅通孔结构及其制备方法 [P].

李宝霞 .

中国专利 :CN104143544A ,2014-11-12

[8]

硅通孔结构及其制造方法 [P].

卢意飞 .

中国专利 :CN102623437B ,2012-08-01

[9]

具有硅通孔的半导体结构及其制备方法 [P].

康庭慈 .

中国专利 :CN110970378A ,2020-04-07

[10]

硅通孔结构的制备方法 [P].

陈怡骏 ;

游宽结 ;

张彰 .

中国专利 :CN106505030B ,2017-03-15

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