硅通孔结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410027745.7

申请日：

2014-01-21

公开(公告)号：

CN104795355A

公开(公告)日：

2015-07-22

发明(设计)人：

高燕朱赛亚董天化马孝田霍燕丽

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

俞涤炯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-07	授权	授权
2015-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101621082274 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014100277457 申请日:20140121
2015-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

硅通孔结构的制备方法 [P].

陈怡骏 ;

游宽结 ;

张彰 .

中国专利 :CN106505030B ,2017-03-15

[2]

一种硅通孔结构及其制备方法 [P].

胡超 .

中国专利 :CN119812150A ,2025-04-11

[3]

硅通孔的制造方法 [P].

郁新举 .

中国专利 :CN112908933A ,2021-06-04

[4]

硅通孔结构及其制备方法 [P].

何洪涛 ;

杨志 ;

胥超 ;

解涛 .

中国专利 :CN111968953A ,2020-11-20

[5]

硅通孔结构及其制备方法 [P].

胡超 .

中国专利 :CN117374031A ,2024-01-09

[6]

硅通孔的形成方法 [P].

许金海 ;

唐强 ;

林保璋 .

中国专利 :CN108630595A ,2018-10-09

[7]

掩膜结构/硅通孔的制备方法、半导体结构 [P].

李宗翰 ;

韩清华 .

中国专利 :CN115376894A ,2022-11-22

[8]

硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法 [P].

李广宁 ;

沈哲敏 .

中国专利 :CN104465563A ,2015-03-25

[9]

具有硅通孔的半导体结构及其制备方法 [P].

康庭慈 .

中国专利 :CN110970378A ,2020-04-07

[10]

硅通孔结构及其制造方法 [P].

卢意飞 .

中国专利 :CN102623437B ,2012-08-01

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