半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410273962.4

申请日：

2014-06-18

公开(公告)号：

CN105244261B

公开(公告)日：

2016-01-13

发明(设计)人：

范晓陈昊瑜王奇伟

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L27146

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

吴俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	公开	公开
2019-06-28	授权	授权
2017-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101716559032 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014102739624 申请日:20140618

共 50 条

[1]

一种半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

宋玉涛 ;

张新 ;

郭廷晃 .

中国专利 :CN119767779A ,2025-04-04

[2]

半导体器件的制备方法 [P].

廖远宝 .

中国专利 :CN111863618B ,2020-10-30

[3]

半导体器件的制备方法 [P].

梁轩铭 ;

李志国 ;

王卉 ;

周洋 ;

罗朝以 .

中国专利 :CN120497199A ,2025-08-15

[4]

半导体器件、半导体器件的制备方法及电子装置 [P].

张川 ;

王志高 ;

陈星 ;

张宇清 ;

王康杰 .

中国专利 :CN119545937A ,2025-02-28

[5]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

张魁 ;

应战 .

中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28

[6]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

汪维金 ;

李享 ;

孟雅楠 ;

刘应东 ;

雷红 .

中国专利 :CN120565499A ,2025-08-29

[7]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

于海龙 ;

董信国 ;

孟昭生 .

中国专利 :CN118782534A ,2024-10-15

[8]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

张魁 ;

应战 .

中国专利 :CN113990800A ,2022-01-28

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN101393892B ,2009-03-25

[10]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

方冬 ;

卞铮 .

中国专利 :CN111200018B ,2020-05-26

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