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一种半导体器件的制备方法及半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510258192.4
申请日：
2025-03-06
公开(公告)号：
CN119767779A
公开(公告)日：
2025-04-04
发明(设计)人：
宋玉涛 张新 郭廷晃
申请人：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址：
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号：
H10D84/03
IPC分类号：
H10D62/10 H10D64/27 H10D84/83
代理机构：
北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804
代理人：
黄耀钧
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
天津市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-22 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20250306
2025-04-04 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28
[2]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
汪维金 ;
李享 ;
孟雅楠 ;
刘应东 ;
雷红 .
中国专利 :CN120565499A ,2025-08-29
[3]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
于海龙 ;
董信国 ;
孟昭生 .
中国专利 :CN118782534A ,2024-10-15
[4]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990800A ,2022-01-28
[5]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
中村广记 .
中国专利 :CN103314443A ,2013-09-18
[6]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
中村广记 .
中国专利 :CN103201842A ,2013-07-10
[7]
半导体器件、半导体器件的制备方法及电子装置 [P]. 
张川 ;
王志高 ;
陈星 ;
张宇清 ;
王康杰 .
中国专利 :CN119545937A ,2025-02-28
[8]
半导体器件的制备方法 [P]. 
范晓 ;
陈昊瑜 ;
王奇伟 .
中国专利 :CN105244261B ,2016-01-13
[9]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
刘焕新 .
中国专利 :CN105575901A ,2016-05-11
[10]
半导体器件及半导体器件制备方法 [P]. 
方冬 ;
卞铮 .
中国专利 :CN111200018B ,2020-05-26
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