等离子体处理装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910128584.X

申请日：

2009-03-17

公开(公告)号：

CN101540276B

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

古野诚杉山徹朗野泽太一一条充弘田岛亮太山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21205 C23C1600 H01L21336

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-23	公开	公开
2013-07-24	授权	授权
2011-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101069688048 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:200910128584X 申请日:20090317

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法以及等离子体处理装置 [P].

三浦真 ;

佐藤清彦 ;

园田靖 ;

酒井哲 .

日本专利 :CN113348536B ,2024-04-02

[2]

半导体装置的制造方法以及等离子体处理装置 [P].

三浦真 ;

佐藤清彦 ;

园田靖 ;

酒井哲 .

中国专利 :CN113348536A ,2021-09-03

[3]

等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置 [P].

北川淳一 .

中国专利 :CN100429753C ,2006-03-15

[4]

等离子体处理装置以及半导体衬底的等离子体处理方法 [P].

上田博一 ;

西塚哲也 ;

野沢俊久 ;

松冈孝明 .

中国专利 :CN101861641B ,2010-10-13

[5]

半导体装置的制造方法及等离子体处理装置 [P].

上马俊之 ;

渡邉大辅 ;

林俊宏 ;

目黒佑一 .

日本专利 :CN117810075A ,2024-04-02

[6]

等离子体处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

西尾征和 .

日本专利 :CN118231213A ,2024-06-21

[7]

等离子体处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

山本高志 .

中国专利 :CN102243977A ,2011-11-16

[8]

等离子体处理装置和半导体装置的制造方法 [P].

山本高志 ;

水上俊介 ;

大谷龙二 ;

樋口公博 .

中国专利 :CN102208322A ,2011-10-05

[9]

等离子体处理装置以及半导体制造装置 [P].

大见忠弘 ;

平山昌树 ;

须川成利 ;

后藤哲也 .

中国专利 :CN1246887C ,2003-12-03

[10]

半导体元件的制造方法以及等离子体处理装置 [P].

三浦真 ;

石井洋平 ;

酒井哲 ;

前田贤治 .

中国专利 :CN111799173A ,2020-10-20

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