等离子体处理装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110083707.X

申请日：

2011-03-30

公开(公告)号：

CN102208322A

公开(公告)日：

2011-10-05

发明(设计)人：

山本高志水上俊介大谷龙二樋口公博

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-05	公开	公开
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101140145199 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:201110083707X 申请日:20110330
2015-03-11	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

进藤俊彦 ;

冈本晋 ;

樋口公博 .

中国专利 :CN100414672C ,2005-10-05

[2]

等离子体处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

西尾征和 .

日本专利 :CN118231213A ,2024-06-21

[3]

等离子体处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

山本高志 .

中国专利 :CN102243977A ,2011-11-16

[4]

等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

岸宏树 ;

徐智洙 .

中国专利 :CN106920733B ,2017-07-04

[5]

等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

大矢欣伸 ;

田边明良 ;

安田吉纪 .

中国专利 :CN104599930A ,2015-05-06

[6]

等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

大矢欣伸 ;

田边明良 ;

安田吉纪 .

中国专利 :CN102376559A ,2012-03-14

[7]

半导体装置的制造方法及等离子体处理装置 [P].

上马俊之 ;

渡邉大辅 ;

林俊宏 ;

目黒佑一 .

日本专利 :CN117810075A ,2024-04-02

[8]

半导体装置的制造方法以及等离子体处理装置 [P].

三浦真 ;

佐藤清彦 ;

园田靖 ;

酒井哲 .

日本专利 :CN113348536B ,2024-04-02

[9]

等离子体处理装置以及半导体装置的制造方法 [P].

古野诚 ;

杉山徹朗 ;

野泽太一 ;

一条充弘 ;

田岛亮太 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101540276B ,2009-09-23

[10]

半导体装置的制造方法以及等离子体处理装置 [P].

三浦真 ;

佐藤清彦 ;

园田靖 ;

酒井哲 .

中国专利 :CN113348536A ,2021-09-03

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