半导体装置的制造方法及等离子体处理装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311178203.5
申请日
2023-09-13
公开(公告)号
CN117810075A
公开(公告)日
2024-04-02
发明(设计)人
上马俊之 渡邉大辅 林俊宏 目黒佑一
申请人
芝浦机械电子装置株式会社
申请人地址
日本神奈川县横浜市荣区笠间二丁目5番1号
IPC主分类号
H01L21/3065
IPC分类号
H01L21/02 H01L21/67 H01J37/32
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
周慧;臧建明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置的制造方法以及等离子体处理装置 [P]. 
三浦真 ;
佐藤清彦 ;
园田靖 ;
酒井哲 .
日本专利 :CN113348536B ,2024-04-02
[2]
半导体装置的制造方法以及等离子体处理装置 [P]. 
三浦真 ;
佐藤清彦 ;
园田靖 ;
酒井哲 .
中国专利 :CN113348536A ,2021-09-03
[3]
等离子体处理装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
西尾征和 .
日本专利 :CN118231213A ,2024-06-21
[4]
等离子体处理装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山本高志 .
中国专利 :CN102243977A ,2011-11-16
[5]
等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
吉水康人 ;
安井祐之 .
中国专利 :CN109308987A ,2019-02-05
[6]
等离子体处理方法、处理装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
久保井信行 ;
深沢正永 .
中国专利 :CN102881549A ,2013-01-16
[7]
等离子体处理装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
古野诚 ;
杉山徹朗 ;
野泽太一 ;
一条充弘 ;
田岛亮太 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN101540276B ,2009-09-23
[8]
等离子体处理装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
山本高志 ;
水上俊介 ;
大谷龙二 ;
樋口公博 .
中国专利 :CN102208322A ,2011-10-05
[9]
等离子体处理装置及半导体制造装置 [P]. 
大见忠弘 ;
平山昌树 ;
须川成利 ;
后藤哲也 .
中国专利 :CN1630030A ,2005-06-22
[10]
等离子体处理装置以及半导体衬底的等离子体处理方法 [P]. 
上田博一 ;
西塚哲也 ;
野沢俊久 ;
松冈孝明 .
中国专利 :CN101861641B ,2010-10-13