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半导体装置的制造方法及等离子体处理装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311178203.5
申请日
:
2023-09-13
公开(公告)号
:
CN117810075A
公开(公告)日
:
2024-04-02
发明(设计)人
:
上马俊之
渡邉大辅
林俊宏
目黒佑一
申请人
:
芝浦机械电子装置株式会社
申请人地址
:
日本神奈川县横浜市荣区笠间二丁目5番1号
IPC主分类号
:
H01L21/3065
IPC分类号
:
H01L21/02
H01L21/67
H01J37/32
代理机构
:
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
:
周慧;臧建明
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-02
公开
公开
2024-04-19
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20230913
共 50 条
[1]
半导体装置的制造方法以及等离子体处理装置
[P].
三浦真
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社日立高新技术
株式会社日立高新技术
三浦真
;
佐藤清彦
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社日立高新技术
株式会社日立高新技术
佐藤清彦
;
园田靖
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社日立高新技术
株式会社日立高新技术
园田靖
;
酒井哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社日立高新技术
株式会社日立高新技术
酒井哲
.
日本专利
:CN113348536B
,2024-04-02
[2]
半导体装置的制造方法以及等离子体处理装置
[P].
三浦真
论文数:
0
引用数:
0
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0
三浦真
;
佐藤清彦
论文数:
0
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0
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0
佐藤清彦
;
园田靖
论文数:
0
引用数:
0
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0
园田靖
;
酒井哲
论文数:
0
引用数:
0
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0
酒井哲
.
中国专利
:CN113348536A
,2021-09-03
[3]
等离子体处理装置及半导体装置的制造方法
[P].
西尾征和
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
西尾征和
.
日本专利
:CN118231213A
,2024-06-21
[4]
等离子体处理装置及半导体装置的制造方法
[P].
山本高志
论文数:
0
引用数:
0
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0
山本高志
.
中国专利
:CN102243977A
,2011-11-16
[5]
等离子体处理装置、半导体制造装置及半导体装置的制造方法
[P].
吉水康人
论文数:
0
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0
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0
吉水康人
;
安井祐之
论文数:
0
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0
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安井祐之
.
中国专利
:CN109308987A
,2019-02-05
[6]
等离子体处理方法、处理装置及半导体装置的制造方法
[P].
久保井信行
论文数:
0
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久保井信行
;
深沢正永
论文数:
0
引用数:
0
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0
深沢正永
.
中国专利
:CN102881549A
,2013-01-16
[7]
等离子体处理装置以及半导体装置的制造方法
[P].
古野诚
论文数:
0
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0
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0
古野诚
;
杉山徹朗
论文数:
0
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杉山徹朗
;
野泽太一
论文数:
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野泽太一
;
一条充弘
论文数:
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一条充弘
;
田岛亮太
论文数:
0
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0
田岛亮太
;
山崎舜平
论文数:
0
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0
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0
山崎舜平
.
中国专利
:CN101540276B
,2009-09-23
[8]
等离子体处理装置和半导体装置的制造方法
[P].
山本高志
论文数:
0
引用数:
0
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0
山本高志
;
水上俊介
论文数:
0
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0
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水上俊介
;
大谷龙二
论文数:
0
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0
大谷龙二
;
樋口公博
论文数:
0
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0
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0
樋口公博
.
中国专利
:CN102208322A
,2011-10-05
[9]
等离子体处理装置及半导体制造装置
[P].
大见忠弘
论文数:
0
引用数:
0
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0
大见忠弘
;
平山昌树
论文数:
0
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平山昌树
;
须川成利
论文数:
0
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须川成利
;
后藤哲也
论文数:
0
引用数:
0
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0
后藤哲也
.
中国专利
:CN1630030A
,2005-06-22
[10]
等离子体处理装置以及半导体衬底的等离子体处理方法
[P].
上田博一
论文数:
0
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上田博一
;
西塚哲也
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0
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0
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西塚哲也
;
野沢俊久
论文数:
0
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野沢俊久
;
松冈孝明
论文数:
0
引用数:
0
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0
松冈孝明
.
中国专利
:CN101861641B
,2010-10-13
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