高纯度铜溅射靶材

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680048552.7

申请日：

2016-08-03

公开(公告)号：

CN107923034A

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

森晓谷雨佐藤雄次菊池文武荒井公

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C25C702 C25C112 C22C901 C22C910 C22F108 C22B1514 C22C906 C22C908 C22F100

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

康泉;王珍仙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-17	公开	公开
2018-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20160803
2020-06-23	授权	授权

共 50 条

[1]

高纯度铜溅射靶 [P].

冈部岳夫 ;

大月富男 ;

渡边茂 .

中国专利 :CN104053814A ,2014-09-17

[2]

高纯度铜溅射靶用铜原材料及高纯度铜溅射靶 [P].

樱井晶 ;

谷雨 ;

佐藤雄次 ;

熊谷训 .

中国专利 :CN105339527A ,2016-02-17

[3]

高纯度铜铬合金溅射靶 [P].

大月富男 ;

福岛笃志 .

中国专利 :CN104066869A ,2014-09-24

[4]

高纯度铜锰合金溅射靶 [P].

长田健一 ;

大月富男 ;

冈部岳夫 ;

牧野修仁 ;

福岛笃志 .

中国专利 :CN104066868B ,2014-09-24

[5]

高纯度铜锰合金溅射靶 [P].

长田健一 ;

大月富男 ;

冈部岳夫 ;

牧野修仁 ;

福岛笃志 .

中国专利 :CN103547701A ,2014-01-29

[6]

高纯度铜锰合金溅射靶 [P].

长田健一 ;

大月富男 ;

冈部岳夫 ;

牧野修仁 ;

福岛笃志 .

中国专利 :CN103797152A ,2014-05-14

[7]

高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶、该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜 [P].

福岛笃志 ;

新藤裕一朗 ;

岛本晋 .

中国专利 :CN102165093A ,2011-08-24

[8]

铜镓溅射靶材 [P].

克里斯汀·林克 ;

托马斯·谢勒 .

中国专利 :CN105579599A ,2016-05-11

[9]

一种高纯度金属溅射靶材冷却方法 [P].

唐智勇 ;

唐安泰 .

中国专利 :CN115125497A ,2022-09-30

[10]

一种高纯度溅射靶材生产工艺 [P].

柴兴臣 ;

崔程明 ;

柴家栋 ;

李卫杰 ;

许亚洲 ;

姜键宁 ;

李建宗 ;

张庭杰 ;

李航杰 ;

宋超杰 ;

曹克道 ;

陈文斌 .

中国专利 :CN121046794A ,2025-12-02

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