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无掩模曝光装置和方法以及半导体设备的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910332630.1
申请日
:
2019-04-24
公开(公告)号
:
CN110780538A
公开(公告)日
:
2020-02-11
发明(设计)人
:
金义锡
朴相玄
张宰荣
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
G03F720
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
钱大勇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20190424
2020-02-11
公开
公开
共 50 条
[1]
无掩模曝光方法和设备以及制造半导体装置的方法
[P].
李相珉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李相珉
;
朴相玄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朴相玄
;
朱愿暾
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱愿暾
.
中国专利
:CN109856924A
,2019-06-07
[2]
曝光掩模以及利用曝光掩模的半导体制造方法
[P].
马原光
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马原光
;
严泰胜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
严泰胜
.
中国专利
:CN101614952A
,2009-12-30
[3]
曝光掩模、半导体装置和制造半导体装置的方法
[P].
金钟勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金钟勋
.
韩国专利
:CN119620529A
,2025-03-14
[4]
曝光装置、曝光方法、以及用于制造半导体装置的方法
[P].
高桥和弘
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高桥和弘
.
中国专利
:CN114114847A
,2022-03-01
[5]
半导体制造方法和曝光掩模
[P].
杉本文利
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杉本文利
.
中国专利
:CN1716535A
,2006-01-04
[6]
曝光装置、曝光方法以及半导体装置的制造方法
[P].
水田吉郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
水田吉郎
.
日本专利
:CN118226711A
,2024-06-21
[7]
曝光装置、曝光方法以及半导体器件的制造方法
[P].
林省一郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林省一郎
.
中国专利
:CN101364051A
,2009-02-11
[8]
曝光方法及装置、物品制造方法和制造半导体设备的方法
[P].
山本哲也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
佳能株式会社
佳能株式会社
山本哲也
.
日本专利
:CN112526829B
,2024-02-20
[9]
曝光方法及装置、物品制造方法和制造半导体设备的方法
[P].
山本哲也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
山本哲也
.
中国专利
:CN112526829A
,2021-03-19
[10]
半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置
[P].
内田诚一
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
内田诚一
;
小川裕之
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
小川裕之
.
中国专利
:CN101765908A
,2010-06-30
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