无掩模曝光装置和方法以及半导体设备的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201910332630.1
申请日
2019-04-24
公开(公告)号
CN110780538A
公开(公告)日
2020-02-11
发明(设计)人
金义锡 朴相玄 张宰荣
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
G03F720
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
钱大勇
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
无掩模曝光方法和设备以及制造半导体装置的方法 [P]. 
李相珉 ;
朴相玄 ;
朱愿暾 .
中国专利 :CN109856924A ,2019-06-07
[2]
曝光掩模以及利用曝光掩模的半导体制造方法 [P]. 
马原光 ;
严泰胜 .
中国专利 :CN101614952A ,2009-12-30
[3]
曝光掩模、半导体装置和制造半导体装置的方法 [P]. 
金钟勋 .
韩国专利 :CN119620529A ,2025-03-14
[4]
曝光装置、曝光方法、以及用于制造半导体装置的方法 [P]. 
高桥和弘 .
中国专利 :CN114114847A ,2022-03-01
[5]
半导体制造方法和曝光掩模 [P]. 
杉本文利 .
中国专利 :CN1716535A ,2006-01-04
[6]
曝光装置、曝光方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
水田吉郎 .
日本专利 :CN118226711A ,2024-06-21
[7]
曝光装置、曝光方法以及半导体器件的制造方法 [P]. 
林省一郎 .
中国专利 :CN101364051A ,2009-02-11
[8]
曝光方法及装置、物品制造方法和制造半导体设备的方法 [P]. 
山本哲也 .
日本专利 :CN112526829B ,2024-02-20
[9]
曝光方法及装置、物品制造方法和制造半导体设备的方法 [P]. 
山本哲也 .
中国专利 :CN112526829A ,2021-03-19
[10]
半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置 [P]. 
内田诚一 ;
小川裕之 .
中国专利 :CN101765908A ,2010-06-30