无掩模曝光方法和设备以及制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811351362.X

申请日：

2018-11-14

公开(公告)号：

CN109856924A

公开(公告)日：

2019-06-07

发明(设计)人：

李相珉朴相玄朱愿暾

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

赵南;张帆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-07	公开	公开
2021-04-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F 7/20 申请公布日:20190607

共 50 条

[1]

无掩模曝光装置和方法以及半导体设备的制造方法 [P].

金义锡 ;

朴相玄 ;

张宰荣 .

中国专利 :CN110780538A ,2020-02-11

[2]

曝光掩模、半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

金钟勋 .

韩国专利 :CN119620529A ,2025-03-14

[3]

曝光掩模以及利用曝光掩模的半导体制造方法 [P].

马原光 ;

严泰胜 .

中国专利 :CN101614952A ,2009-12-30

[4]

光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 [P].

田边胜 ;

川口厚 ;

赤川裕之 ;

河原明宏 .

中国专利 :CN101813883A ,2010-08-25

[5]

光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 [P].

田边胜 ;

川口厚 ;

赤川裕之 ;

河原明宏 .

中国专利 :CN1755519B ,2006-04-05

[6]

曝光设备和使用该曝光设备制造半导体装置的方法 [P].

张赞三 .

中国专利 :CN110187606A ,2019-08-30

[7]

半导体制造方法和曝光掩模 [P].

杉本文利 .

中国专利 :CN1716535A ,2006-01-04

[8]

曝光装置、曝光方法以及半导体装置的制造方法 [P].

水田吉郎 .

日本专利 :CN118226711A ,2024-06-21

[9]

半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置 [P].

内田诚一 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN101765908A ,2010-06-30

[10]

曝光装置、曝光方法、以及用于制造半导体装置的方法 [P].

高桥和弘 .

中国专利 :CN114114847A ,2022-03-01

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