曝光设备和使用该曝光设备制造半导体装置的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201811218567.0
申请日
2018-10-19
公开(公告)号
CN110187606A
公开(公告)日
2019-08-30
发明(设计)人
张赞三
申请人
申请人地址
韩国京畿道水原市
IPC主分类号
G03F720
IPC分类号
代理机构
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
刘灿强;韩芳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
极紫外曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法 [P]. 
裵根熙 ;
朴珍洪 ;
许晋硕 ;
高熙英 ;
洪成哲 .
中国专利 :CN111880374A ,2020-11-03
[2]
曝光装置和使用该曝光装置的半导体器件制造方法 [P]. 
田中幸一郎 ;
山本良明 .
中国专利 :CN101088144B ,2007-12-12
[3]
曝光设备以及使用该曝光设备的器件制造方法 [P]. 
樋浦充 ;
辻俊彦 .
中国专利 :CN1647249A ,2005-07-27
[4]
曝光装置、曝光方法、以及用于制造半导体装置的方法 [P]. 
高桥和弘 .
中国专利 :CN114114847A ,2022-03-01
[5]
无掩模曝光方法和设备以及制造半导体装置的方法 [P]. 
李相珉 ;
朴相玄 ;
朱愿暾 .
中国专利 :CN109856924A ,2019-06-07
[6]
曝光装置、曝光方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
远藤政孝 ;
笹子胜 .
中国专利 :CN1725111A ,2006-01-25
[7]
曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
寺井勇人 ;
高桑真步 .
中国专利 :CN113495433A ,2021-10-12
[8]
曝光装置、曝光方法以及半导体装置的制造方法 [P]. 
水田吉郎 .
日本专利 :CN118226711A ,2024-06-21
[9]
曝光装置、曝光方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
水田吉郎 .
日本专利 :CN119148472A ,2024-12-17
[10]
半导体转接板曝光方法以及曝光设备 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109782542A ,2019-05-21