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曝光设备和使用该曝光设备制造半导体装置的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811218567.0
申请日
:
2018-10-19
公开(公告)号
:
CN110187606A
公开(公告)日
:
2019-08-30
发明(设计)人
:
张赞三
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道水原市
IPC主分类号
:
G03F720
IPC分类号
:
代理机构
:
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
:
刘灿强;韩芳
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-08-30
公开
公开
2021-02-09
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20181019
共 50 条
[1]
极紫外曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法
[P].
裵根熙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
裵根熙
;
朴珍洪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朴珍洪
;
许晋硕
论文数:
0
引用数:
0
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0
许晋硕
;
高熙英
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高熙英
;
洪成哲
论文数:
0
引用数:
0
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0
洪成哲
.
中国专利
:CN111880374A
,2020-11-03
[2]
曝光装置和使用该曝光装置的半导体器件制造方法
[P].
田中幸一郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田中幸一郎
;
山本良明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
山本良明
.
中国专利
:CN101088144B
,2007-12-12
[3]
曝光设备以及使用该曝光设备的器件制造方法
[P].
樋浦充
论文数:
0
引用数:
0
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0
樋浦充
;
辻俊彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
辻俊彦
.
中国专利
:CN1647249A
,2005-07-27
[4]
曝光装置、曝光方法、以及用于制造半导体装置的方法
[P].
高桥和弘
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高桥和弘
.
中国专利
:CN114114847A
,2022-03-01
[5]
无掩模曝光方法和设备以及制造半导体装置的方法
[P].
李相珉
论文数:
0
引用数:
0
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0
李相珉
;
朴相玄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朴相玄
;
朱愿暾
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱愿暾
.
中国专利
:CN109856924A
,2019-06-07
[6]
曝光装置、曝光方法及半导体装置的制造方法
[P].
远藤政孝
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
远藤政孝
;
笹子胜
论文数:
0
引用数:
0
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0
笹子胜
.
中国专利
:CN1725111A
,2006-01-25
[7]
曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法
[P].
寺井勇人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
寺井勇人
;
高桑真步
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高桑真步
.
中国专利
:CN113495433A
,2021-10-12
[8]
曝光装置、曝光方法以及半导体装置的制造方法
[P].
水田吉郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
水田吉郎
.
日本专利
:CN118226711A
,2024-06-21
[9]
曝光装置、曝光方法及半导体装置的制造方法
[P].
水田吉郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
水田吉郎
.
日本专利
:CN119148472A
,2024-12-17
[10]
半导体转接板曝光方法以及曝光设备
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN109782542A
,2019-05-21
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