曝光装置和使用该曝光装置的半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580044198.2

申请日：

2005-12-21

公开(公告)号：

CN101088144B

公开(公告)日：

2007-12-12

发明(设计)人：

田中幸一郎山本良明

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L2120 H01L21336 H01L29786

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

李玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-28	授权	授权
2018-12-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20051221 授权公告日:20120328 终止日期:20171221
2007-12-12	公开	公开
2008-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇辉 ;

张俊 .

中国专利 :CN110231756A ,2019-09-13

[2]

曝光装置、曝光方法及半导体器件制造方法 [P].

大森真二 ;

守屋茂 ;

纳土晋一郎 .

中国专利 :CN1735959A ,2006-02-15

[3]

曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇辉 ;

张俊 .

中国专利 :CN110244517B ,2024-11-15

[4]

曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇辉 ;

张俊 .

中国专利 :CN110244517A ,2019-09-17

[5]

曝光装置、曝光方法以及半导体器件的制造方法 [P].

林省一郎 .

中国专利 :CN101364051A ,2009-02-11

[6]

曝光设备和使用该曝光设备制造半导体装置的方法 [P].

张赞三 .

中国专利 :CN110187606A ,2019-08-30

[7]

曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法 [P].

宋柱京 ;

尹炯舜 .

中国专利 :CN101750879B ,2010-06-23

[8]

曝光装置、曝光方法，以及使用该曝光装置和方法的器件制造方法 [P].

篠田健一郎 .

中国专利 :CN1438546A ,2003-08-27

[9]

曝光装置、曝光方法,以及使用该曝光装置和方法的器件制造方法 [P].

篠田健一郎 .

中国专利 :CN101241318A ,2008-08-13

[10]

曝光装置和使用曝光装置的器件制造方法 [P].

铃木厚志 ;

平野真一 .

中国专利 :CN105182698A ,2015-12-23

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