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曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810982415.1
申请日
:
2018-08-27
公开(公告)号
:
CN110244517A
公开(公告)日
:
2019-09-17
发明(设计)人
:
陈勇辉
张俊
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区张东路1525号
IPC主分类号
:
G03F720
IPC分类号
:
代理机构
:
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
:
孟金喆
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-10-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20180827
2019-09-17
公开
公开
共 50 条
[1]
曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法
[P].
陈勇辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海微电子装备(集团)股份有限公司
上海微电子装备(集团)股份有限公司
陈勇辉
;
张俊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海微电子装备(集团)股份有限公司
上海微电子装备(集团)股份有限公司
张俊
.
中国专利
:CN110244517B
,2024-11-15
[2]
曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法
[P].
陈勇辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈勇辉
;
张俊
论文数:
0
引用数:
0
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0
张俊
.
中国专利
:CN110231756A
,2019-09-13
[3]
曝光装置、曝光方法及半导体器件制造方法
[P].
大森真二
论文数:
0
引用数:
0
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大森真二
;
守屋茂
论文数:
0
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守屋茂
;
纳土晋一郎
论文数:
0
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0
纳土晋一郎
.
中国专利
:CN1735959A
,2006-02-15
[4]
曝光装置、曝光方法以及半导体器件的制造方法
[P].
林省一郎
论文数:
0
引用数:
0
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0
林省一郎
.
中国专利
:CN101364051A
,2009-02-11
[5]
曝光装置和使用该曝光装置的半导体器件制造方法
[P].
田中幸一郎
论文数:
0
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0
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田中幸一郎
;
山本良明
论文数:
0
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山本良明
.
中国专利
:CN101088144B
,2007-12-12
[6]
一种曝光方法、曝光机、半导体器件及其制造方法
[P].
樊春华
论文数:
0
引用数:
0
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0
樊春华
.
中国专利
:CN110361937B
,2019-10-22
[7]
半导体器件的曝光掩模及其制造方法
[P].
韩镇洙
论文数:
0
引用数:
0
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0
韩镇洙
.
中国专利
:CN1148265A
,1997-04-23
[8]
干涉曝光设备、干涉曝光方法以及半导体器件制造方法
[P].
小寺克昌
论文数:
0
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0
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小寺克昌
;
田中聪
论文数:
0
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0
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0
田中聪
.
中国专利
:CN102880005A
,2013-01-16
[9]
用于制造半导体器件的曝光装置
[P].
郑然旭
论文数:
0
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0
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0
郑然旭
.
中国专利
:CN1136708A
,1996-11-27
[10]
曝光处理系统、曝光处理方法和半导体器件的制造方法
[P].
河野拓也
论文数:
0
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河野拓也
;
小峰信洋
论文数:
0
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小峰信洋
;
东木达彦
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0
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东木达彦
;
原川正一
论文数:
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原川正一
;
池田诚
论文数:
0
引用数:
0
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池田诚
.
中国专利
:CN1637620B
,2005-07-13
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