半导体器件的曝光掩模及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96106890.6

申请日：

1996-07-01

公开(公告)号：

CN1148265A

公开(公告)日：

1997-04-23

发明(设计)人：

韩镇洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-04-02	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1997-04-23	公开	公开
2014-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101585540258 IPC(主分类):H01L 21/027 专利号:ZL961068906 申请日:19960701 授权公告日:20000209 终止日期:20130701
2000-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法 [P].

宋柱京 ;

尹炯舜 .

中国专利 :CN101750879B ,2010-06-23

[2]

曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 [P].

郑龙淳 .

中国专利 :CN101206394A ,2008-06-25

[3]

曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇辉 ;

张俊 .

中国专利 :CN110231756A ,2019-09-13

[4]

曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇辉 ;

张俊 .

中国专利 :CN110244517B ,2024-11-15

[5]

曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇辉 ;

张俊 .

中国专利 :CN110244517A ,2019-09-17

[6]

曝光掩模以及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

大沼英人 ;

永井雅晴 .

中国专利 :CN1912739A ,2007-02-14

[7]

半导体器件的掩模图案及其制造方法 [P].

李峻硕 .

中国专利 :CN101109897A ,2008-01-23

[8]

用于半导体器件中的曝光掩模 [P].

文承灿 .

中国专利 :CN1129852A ,1996-08-28

[9]

掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法 [P].

长滨一郎太 ;

山崎裕一郎 ;

大西笃志 .

中国专利 :CN101673048B ,2010-03-17

[10]

掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法 [P].

长滨一郎太 ;

山崎裕一郎 ;

大西笃志 .

中国专利 :CN1892419A ,2007-01-10

← 1 2 3 4 5 →