掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610100292.1

申请日：

2006-07-06

公开(公告)号：

CN1892419A

公开(公告)日：

2007-01-10

发明(设计)人：

长滨一郎太山崎裕一郎大西笃志

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F100

IPC分类号：

G03F720 H01L2100

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;于静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-10	公开	公开
2018-07-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/00 申请日:20060706 授权公告日:20110831 终止日期:20170706
2011-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法 [P].

长滨一郎太 ;

山崎裕一郎 ;

大西笃志 .

中国专利 :CN101673048B ,2010-03-17

[2]

曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法 [P].

宋柱京 ;

尹炯舜 .

中国专利 :CN101750879B ,2010-06-23

[3]

半导体器件的曝光掩模及其制造方法 [P].

韩镇洙 .

中国专利 :CN1148265A ,1997-04-23

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

兹维·奥巴赫 ;

劳伦斯·库克 ;

阿德里安·阿波斯托尔 ;

罗密欧·雅各布特 .

中国专利 :CN1745469A ,2006-03-08

[5]

曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 [P].

郑龙淳 .

中国专利 :CN101206394A ,2008-06-25

[6]

电子束曝光掩模和用该掩模制造半导体器件的方法 [P].

宫坂满美 .

中国专利 :CN1275797A ,2000-12-06

[7]

曝光掩模图形的形成方法,曝光掩模图形,以及半导体器件的制作方法 [P].

小川和久 ;

川原和义 .

中国专利 :CN100507715C ,2005-07-27

[8]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

张睿 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563069A ,2014-02-05

[9]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山田永 ;

秦雅彦 ;

高木信一 ;

前田辰郎 ;

卜部友二 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103548133A ,2014-01-29

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

沼田英夫 ;

江泽弘和 ;

田窪知章 ;

高桥健司 ;

青木秀夫 ;

原田享 ;

金子尚史 ;

池上浩 ;

松尾美惠 ;

大村一郎 .

中国专利 :CN1758430A ,2006-04-12

← 1 2 3 4 5 →