用于半导体器件中的曝光掩模

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95120485.8

申请日：

1995-12-25

公开(公告)号：

CN1129852A

公开(公告)日：

1996-08-28

发明(设计)人：

文承灿

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21475

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京市中原信达知识产权代理公司

代理人：

余朦

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599304582 IPC(主分类):G03F 1/14 专利号:ZL951204858 申请日:19951225 授权公告日:19991013 终止日期:20131225
1999-10-13	授权	授权
1996-07-31	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1996-08-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的曝光掩模及其制造方法 [P].

韩镇洙 .

中国专利 :CN1148265A ,1997-04-23

[2]

用于制造半导体器件的接触掩模 [P].

李根镐 .

中国专利 :CN1173734A ,1998-02-18

[3]

曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法 [P].

宋柱京 ;

尹炯舜 .

中国专利 :CN101750879B ,2010-06-23

[4]

曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 [P].

郑龙淳 .

中国专利 :CN101206394A ,2008-06-25

[5]

用于制造半导体器件的相移掩模 [P].

渡边健一 ;

河野通有 ;

難波浩司 ;

助川和雄 ;

长谷川巧 ;

泽田丰治 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN1800972B ,2006-07-12

[6]

曝光方法及半导体器件 [P].

贾俊杰 ;

何磊磊 ;

郭曙光 ;

任慕天 ;

邱智超 .

中国专利 :CN120595539A ,2025-09-05

[7]

在半导体器件中形成硬掩模图案的方法 [P].

金相民 ;

郑宇荣 ;

金最东 .

中国专利 :CN101303971A ,2008-11-12

[8]

用于制造半导体器件的曝光装置 [P].

郑然旭 .

中国专利 :CN1136708A ,1996-11-27

[9]

曝光掩模以及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

大沼英人 ;

永井雅晴 .

中国专利 :CN1912739A ,2007-02-14

[10]

曝光掩模图形的形成方法,曝光掩模图形,以及半导体器件的制作方法 [P].

小川和久 ;

川原和义 .

中国专利 :CN100507715C ,2005-07-27

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