用于制造半导体器件的曝光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96102995.1

申请日：

1996-03-28

公开(公告)号：

CN1136708A

公开(公告)日：

1996-11-27

发明(设计)人：

郑然旭

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚南道

IPC主分类号：

H01L2130

IPC分类号：

G03F720

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

李晓舒

法律状态：

专利申请的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-05-31	专利申请的视为撤回	专利申请的视为撤回
1996-10-30	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1996-11-27	公开	公开

共 50 条

[1]

曝光装置、曝光方法以及半导体器件的制造方法 [P].

林省一郎 .

中国专利 :CN101364051A ,2009-02-11

[2]

曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇辉 ;

张俊 .

中国专利 :CN110231756A ,2019-09-13

[3]

曝光装置、曝光方法及半导体器件制造方法 [P].

大森真二 ;

守屋茂 ;

纳土晋一郎 .

中国专利 :CN1735959A ,2006-02-15

[4]

曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇辉 ;

张俊 .

中国专利 :CN110244517B ,2024-11-15

[5]

曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 [P].

陈勇辉 ;

张俊 .

中国专利 :CN110244517A ,2019-09-17

[6]

曝光装置和使用该曝光装置的半导体器件制造方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101088144B ,2007-12-12

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置 [P].

伊藤信一 ;

东木达彦 ;

奥村胜弥 ;

川野健二 ;

井上壮一 .

中国专利 :CN1442885A ,2003-09-17

[8]

用于制造半导体器件的方法和用于制造半导体器件的装置 [P].

中泽治雄 .

中国专利 :CN102741982A ,2012-10-17

[9]

半导体器件的制造装置 [P].

伊藤信一 ;

东木达彦 ;

奥村胜弥 ;

川野健二 ;

井上壮一 .

中国专利 :CN100382242C ,2005-06-29

[10]

用于制造半导体器件的装置和半导体器件的制造方法 [P].

成正模 ;

宣钟宇 ;

韩济愚 ;

朴赞训 ;

宋承润 ;

明涩荷 .

中国专利 :CN111128666A ,2020-05-08

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