半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03105143.X

申请日：

2003-03-04

公开(公告)号：

CN1442885A

公开(公告)日：

2003-09-17

发明(设计)人：

伊藤信一东木达彦奥村胜弥川野健二井上壮一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

G03F700

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

陈海红;段承恩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-09-17	公开	公开
2007-01-10	授权	授权
2010-06-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101003018223 IPC(主分类):H01L 21/027 专利号:ZL03105143X 申请日:20030304 授权公告日:20070110

共 50 条

[1]

半导体器件的制造装置 [P].

伊藤信一 ;

东木达彦 ;

奥村胜弥 ;

川野健二 ;

井上壮一 .

中国专利 :CN100382242C ,2005-06-29

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置 [P].

山下大辅 .

中国专利 :CN103311151A ,2013-09-18

[3]

制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件 [P].

李承宪 ;

金汶浚 ;

高在康 ;

韩太钟 .

中国专利 :CN112086347A ,2020-12-15

[4]

制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件 [P].

李承宪 ;

金汶浚 ;

高在康 ;

韩太钟 .

韩国专利 :CN112086347B ,2025-09-16

[5]

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

早水勋 ;

立柳昌哉 .

中国专利 :CN101471537B ,2009-07-01

[6]

半导体器件的制造方法、半导体器件、支撑衬底和半导体制造装置 [P].

辻井浩 .

中国专利 :CN103681398A ,2014-03-26

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

铃木和贵 ;

是成贵弘 .

中国专利 :CN108461447A ,2018-08-28

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

C.坎彭 ;

A.迈泽 .

中国专利 :CN103915499A ,2014-07-09

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