半导体器件的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510002715.1

申请日：

2003-03-04

公开(公告)号：

CN100382242C

公开(公告)日：

2005-06-29

发明(设计)人：

伊藤信一东木达彦奥村胜弥川野健二井上壮一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L2100 G03F700

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

陈海红;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-06-29	公开	公开
2011-05-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101069887815 IPC(主分类):H01L 21/027 专利号:ZL2005100027151 申请日:20030304 授权公告日:20080416 终止日期:20100304
2008-04-16	授权	授权
2005-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置 [P].

伊藤信一 ;

东木达彦 ;

奥村胜弥 ;

川野健二 ;

井上壮一 .

中国专利 :CN1442885A ,2003-09-17

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置 [P].

山下大辅 .

中国专利 :CN103311151A ,2013-09-18

[3]

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

早水勋 ;

立柳昌哉 .

中国专利 :CN101471537B ,2009-07-01

[4]

半导体器件的制造方法、半导体器件、支撑衬底和半导体制造装置 [P].

辻井浩 .

中国专利 :CN103681398A ,2014-03-26

[5]

半导体器件的制造方法、半导体器件的制造装置、半导体器件、半导体器件的制造程序、半导体用处理剂以及转印用部件 [P].

小林光 .

中国专利 :CN103858219A ,2014-06-11

[6]

制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件 [P].

李承宪 ;

金汶浚 ;

高在康 ;

韩太钟 .

中国专利 :CN112086347A ,2020-12-15

[7]

制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件 [P].

李承宪 ;

金汶浚 ;

高在康 ;

韩太钟 .

韩国专利 :CN112086347B ,2025-09-16

[8]

半导体器件的制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

中村理 ;

伊藤恭介 .

中国专利 :CN101013674A ,2007-08-08

[9]

半导体器件的制造方法、半导体器件 [P].

汪广羊 .

中国专利 :CN111009522A ,2020-04-14

[10]

半导体器件的制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111106113A ,2020-05-05

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