曝光掩模、半导体装置和制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410351545.0

申请日：

2024-03-26

公开(公告)号：

CN119620529A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

金钟勋

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F1/50

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

刘久亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/50申请日:20240326
2025-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置制造用掩模 [P].

山田努 ;

西川龙司 .

中国专利 :CN1384696A ,2002-12-11

[2]

半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置 [P].

内田诚一 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN101765908A ,2010-06-30

[3]

半导体制造方法和曝光掩模 [P].

杉本文利 .

中国专利 :CN1716535A ,2006-01-04

[4]

光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

世良博 ;

宫田崇 .

中国专利 :CN101441404A ,2009-05-27

[5]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

[6]

半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN103474354A ,2013-12-25

[7]

半导体结构、半导体装置、和制造半导体装置的方法 [P].

萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯 ;

蔡家铭 ;

范彧达 ;

余典卫 .

中国专利 :CN113327925A ,2021-08-31

[8]

半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元 [P].

横山孝司 ;

梅林拓 .

中国专利 :CN104425439A ,2015-03-18

[9]

半导体装置制造方法、半导体装置和半导体芯片 [P].

谷田一真 ;

梅本光雄 ;

秋山雪治 .

中国专利 :CN100563005C ,2005-09-28

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

山口正臣 .

中国专利 :CN100352017C ,2005-10-05

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